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A scaled replacement metal gate InGaAs-on-Insulator n-FinFET on Si with record performance
Hahn, H.
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Deshpande, V.
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Caruso, E.
altro
Czornomaz, L.
2017
conference object
DOI
10.1109/IEDM.2017.8268410
WOS
WOS:000424868900104
SCOPUS
2-s2.0-85045207796
Archivio
http://hdl.handle.net/11390/1124243
Diritti
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13
Data di acquisizione
Jun 14, 2022
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