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N-p-n bipolar-junction-transistor detector with integrated p-n-p biasing transistor – feasibility study, design, and first experimental results.
VERZELLESI G
•
BERGAMINI D
•
DALLA BETTA G. F
altro
BATIGNANI G.
2006
journal article
Periodico
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY
Archivio
http://hdl.handle.net/11368/1691023
Diritti
metadata only access
Visualizzazioni
2
Data di acquisizione
Apr 19, 2024
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