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Validity of the parabolic effective mass approximation in silicon and germanium n-MOSFETs with different crystal orientations
J. L. P. J. van der Steen
•
R. J. E. Hueting
•
ESSENI, David
altro
SELMI, Luca
2007
journal article
Periodico
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES
WOS
WOS:000248390600006
Archivio
http://hdl.handle.net/11390/878997
info:eu-repo/semantics/altIdentifier/scopus/2-s2.0-34547915647
Diritti
closed access
Visualizzazioni
3
Data di acquisizione
Apr 19, 2024
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