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A multi-band model for hole transport in silicon at high energies
ABRAMO, Antonio
•
F. Venturi
•
E. Sangiorgi
altro
C. Jacoboni
1992
journal article
Periodico
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY
Archivio
http://hdl.handle.net/11390/851073
Diritti
metadata only access
Visualizzazioni
4
Data di acquisizione
Apr 19, 2024
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