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A new microscopic model for hole transport in silicon with application to sub-micron LDD MOSFETs
ABRAMO, Antonio
•
C. Fiegna
•
F. Venturi
altro
B. Riccò
1991
conference object
Archivio
http://hdl.handle.net/11390/743489
Diritti
metadata only access
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1
Data di acquisizione
Apr 19, 2024
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