Characterization of MOS transistors integrated on high-resistivity silicon with a DSSD process
BATIGNANI G
•
FORTI F
•
GIORGI M
altro
DELLA MARINA R.
1997
Periodico
NUOVO CIMENTO DELLA SOCIETAÌ€ ITALIANA DI FISICA. A, NUCLEI, PARTICLES AND FIELDS
Abstract
NUOVO CIMENTO
Archivio
Diritti
metadata only access