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An Improved Model for Electron Mobility Degradation by Remote Coulomb Scattering in Ultra-Thin Oxide MOSFETs
ESSENI, David
•
ABRAMO, Antonio
2002
conference object
Archivio
http://hdl.handle.net/11390/738045
info:eu-repo/semantics/altIdentifier/scopus/2-s2.0-1542799067
Diritti
metadata only access
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Data di acquisizione
Apr 19, 2024
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