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InAs/GaSb(001) valence-band offset: Independence of interface composition and strain

Barbara Montanari
•
PERESSI, MARIA
•
Stefano Baroni
•
Elisa Molinari
1996
  • journal article

Periodico
APPLIED PHYSICS LETTERS
DOI
10.1063/1.118015
WOS
WOS:A1996VT73100035
Archivio
http://hdl.handle.net/11368/2562889
info:eu-repo/semantics/altIdentifier/scopus/2-s2.0-0005084531
Diritti
metadata only access
Soggetti
  • semiconductor

  • heterojunction

  • band offset

Scopus© citazioni
12
Data di acquisizione
Jun 15, 2022
Vedi dettagli
Web of Science© citazioni
12
Data di acquisizione
Mar 23, 2024
Visualizzazioni
5
Data di acquisizione
Apr 19, 2024
Vedi dettagli
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