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Spatial distribution of interface traps in 65 nm pMOSFETs irradiated to ultra-high doses
S. Bonaldo
•
S. Gerardin
•
X. Jin
altro
D. M. Fleetwood5
2018
conference object
Archivio
http://hdl.handle.net/11390/1139277
Diritti
closed access
Visualizzazioni
1
Data di acquisizione
Apr 19, 2024
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