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electron-hole plasma in direct-gap semiconductors

M. capizzi
•
A. Frova
•
MODESTI, SILVIO
altro
M. Guzzi
1985
  • journal article

Periodico
HELVETICA PHYSICA ACTA
Abstract
Etude de la luminescence de plasma électron-trou dans Ga1−xAlxAs, dans des échantillons confinés en deux ou trois dimensions. Détermination d'une limite supérieure de la longueur de diffusion du plasma (∼25 μm). Les spectres de luminescence des plasmas uniformes, non développés, sont bien analysés au moyen d'un modèle à n corps à conservation de k, incluant une renormalisation de l'énergie des particules isolées et un élargissement de durées de vie
Archivio
http://hdl.handle.net/11368/2560289
http://cat.inist.fr/?aModele=afficheN&cpsidt=8441545
Diritti
metadata only access
Soggetti
  • electron-hole plasma

  • semiconductor

Visualizzazioni
7
Data di acquisizione
Apr 19, 2024
Vedi dettagli
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